存儲單元分類

靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。經過升高字線的電平觸發存儲單元，再經過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會佔去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些大容量的SRAM中，這個比例還要更大一些。於是減少存儲單元的面積變得尤其重要。

在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分爲組，組內全部的存儲元同時進行讀出或寫入操做，這樣的一組存儲元稱爲一個存儲單元。一個存儲單元一般能夠存放一個字節；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位.

從結構上分，CMOS SRAM 存儲單元有電阻-晶體管結構（4T-2R 存儲單元）和靜態六管全互補結構（6T 存儲單元）。

圖1 4T-2R存儲單元結構 圖2 6T 存儲單元結構

4T-2R 存儲單元的存儲器並不是徹底意義的CMOS 電路，它們的存儲單元每每選用同一溝道的晶體管，而在外圍電路的實現中採用了CMOS 電路；與6T 單元10 高速低功耗SRAM的設計與實現相比，採用單一溝道的存儲單元不但會減小工藝的複雜度，並且能有效的減少芯片面積，這主要是由於不須要額外的面積來隔離N-well 或P-well。

六管存儲單元採用了一根單一的字線、一根位線和一根反相的位線。互爲反相的兩根位線一般稱爲 bit和bit。單元中包括了一對交叉耦合的反相器，而且每根位線鏈接了一個存取晶體管。一對互補的數據存儲在交叉耦合的反相器上。若是數據受到輕微的干擾，由迴路構成的正反饋將使數據恢復到VDD或GND。