IBM公司將3D堆疊技術引入FlashSystem

IBM公司已經宣佈對自家全閃存存儲解決方案進行多項改進,其中最新3D三層單元(簡稱TLC)FlashStorage技術承諾進一步提升上代產品的存儲密度,同時帶來更強性能與閃存使用壽命,並可將數據容量成本降低達60%。 通過將單一閃存存儲單元由1 bit增加至3 bit,並以三維方式將各存儲單元堆疊起來,IBM公司承諾實現三倍於原有產品的閃存存儲密度。 其全新3D TLC FlashCore技術將支
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