IBM公司將3D堆疊技術引入FlashSystem

IBM公司已經宣佈對自家全閃存存儲解決方案進行多項改進，其中最新3D三層單元（簡稱TLC）FlashStorage技術承諾進一步提升上代產品的存儲密度，同時帶來更強性能與閃存使用壽命，並可將數據容量成本降低達60%。 通過將單一閃存存儲單元由1 bit增加至3 bit，並以三維方式將各存儲單元堆疊起來，IBM公司承諾實現三倍於原有產品的閃存存儲密度。 其全新3D TLC FlashCore技術將支

>>阅读原文<<