比較FRAM和MRAM的區別

本篇文章由英尚微詳細介紹非易失性MRAM與FRAM之間的區別。 疲勞 MRAM技術使用磁態進行數據存儲。在兩種狀態之間切換磁極化不需要原子的運動，因此MRAM器件沒有磨損機制。FRAM中的位存儲需要響應電場，使其固有的電偶極子（在Pb（Zr，Ti）O3的情況下，氧八面體中的Ti4+離子）移動。隨着時間的流逝，電容器中自由電荷的積累和其他離子缺陷將越來越阻礙偶極子的移動，此外與鐵電偶極子的氫鍵鍵合是

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