硬核官宣：臺積電官宣6nm及7nm增強版工藝！

臺積電正式宣佈了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度加強，號稱可提供極具競爭力的高性價比，並且能加速產品研發、量產、上市速度。

這幾年，曾經執行業牛耳的Intel在新工藝方面進展遲緩，10nm工藝遲遲沒法規模量產，一個很關鍵的緣由就是對技術指標要求高，投產難度大。

而在另外一方面，臺積電、三星倒是一路高歌猛進，除了技術方面的突破，還採起了更靈活的戰術，下降新工藝技術難度，而且每次稍加改進就拿出一個新版本，讓人應接不暇。

好比臺積電的16nm是個重要節點，12nm則是在其基礎上升級優化而來。三星就更亂了，除了14nm、10nm、7nm、5nm這些升級力度比較大的，還有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列過渡版本。

近日，臺積電宣佈5nm EUV工藝已經開始試產，相比7nm可將核心面積縮小45％，性能則可提高15％，同時三星5nm EUV工藝已經設計完畢，相比7nm可將功耗下降20％，性能提升10％。

如今，臺積電又正式宣佈了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度加強，號稱可提供極具競爭力的高性價比，並且能加速產品研發、量產、上市速度。

臺積電7nm工藝有兩個版本，第一代採用傳統DUV光刻技術，第二代則是首次加入EUV極紫外光刻，已進入試產階段，預計下一代蘋果A、華爲麒麟都會用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，號稱相比第一代7nm工藝能夠將晶體管密度提高18％，同時設計規則徹底兼容第一代7nm，便於升級遷移，下降成本。

臺積電6nm預計2020年第一季度試產，適合中高端移動芯片、消費應用、AI、網絡、5G、高性能計算等。

Intel：14nm我改進了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，臺積電、三星大家太過度了……