黑硅技術是多晶針對單晶的大殺器？

1、引言 多晶電池效率的提升受制於表面反射率的降低。常規多晶主要採用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶採用鹼制絨，形成金字塔結構的絨面。相比單晶電池，常規多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面，單晶硅片受益於金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制於電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規制絨工藝後，反射率

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