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電子器件系列--IGBT(絕緣柵雙級晶體管)學習
時間 2021-01-18
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IGBT是一個非通即斷的開關,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管:Giant Transistor—GTR,直譯爲巨型晶體管)的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較
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