電子器件系列二：IGBT

  IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型複合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優點集於一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型，又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。因此，IGBT的新技術、新工藝不斷有新的突破；應用頻率硬開關5KHz～40KHz，軟開關40KHz～

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