絕緣柵雙極晶體管IGBT

■GTR和GTO是雙極型電流驅動器件，由於具有電導調製效應，其通流能力很強，但開關速度較低，所需驅動功率大，驅動電路複雜。而電力MOSFET是單極型電壓驅動器件，開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小而且驅動電路簡單。絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）綜合了GTR和MOSFET的優點，因而具有良好的特性。 IGBT

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