各大原廠看好MRAM發展

MRAM是一種以電阻爲存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，能夠兼作內存和硬盤的新型存儲介質。寫入速度可達NAND閃存的數千倍，此外，其製做工藝要求低，良品率高，能夠很好的控制成本。在壽命方面，因爲MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠超傳統RAM。大規模普及仍面臨挑戰
 
毫無疑問，MRAM因其獨特的存儲方式在非易失性，寫入速度，壽命等各方面均有優點，然而可否被普遍採用仍面臨一系列挑戰。
 
通常來說，MRAM一般由三大部分組成：半導體基底，磁自旋隧穿結（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）和磁發生器。產業調研報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示，MRAM在普遍推廣的過程當中面臨的重要挑戰的緣由是所使用的材料和工藝和傳統的CMOS製造不一樣。
 
性能壽命遠超NAND，MRAM離大規模應用還有多久?傳三星良率已達90%
 
報告稱，目前，MRAM是在單獨的晶圓廠做爲「後端生產線」（BEOL）工藝來生產的，須要一些傳統CMOS製造工藝沒有使用的新設備，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想下降嵌入式MRAM產品的成本，其製造就須要進入CMOS晶圓廠，成爲常規器件生產的一部分。
 
Applied Materials金屬沉積產品副總裁Kevin Moraes稱，在MTJ結構中，是由存儲層，隧道壁壘層和參考層等互相堆疊而成。這些堆疊材料中，有些做爲阻擋做用薄膜層，這些阻擋層很是薄，很容易被破壞，所以如何精準的沉積這些薄膜也十分重要。
 
除三星一直積極推動MRAM發展以外，英特爾也在今年上半年宣佈已經作好eMRAM芯片大批量生產的準備。鎧俠也相繼發表多項MRAM相關專利，推進技術發展。做爲MRAM領先者的EVERSPIN供應商仍致力於研發創新出新的產品提供給市場.
 
報道稱，三星透過提高MTJ結構的均一性，以減小阻抗值與記錄電流誤差，改良製程，減小會對MTJ形成不良影響的缺陷密度，實現容量和良率的提高。
 
此外，隨着存儲設備朝着高集成度方向發展，MRAM小型化發展也面臨困難。
 
目前，以MRAM爲表明的新型存儲已經發展到了關鍵階段，可否成爲取代NAND閃存的下一代存儲介質除了材料和工藝的不斷完善以外，構建完善的器件技術生態系統也是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推進下，存儲產品必定朝着性能更高，容量更大以及成本更優的方向發展。