FinFET Modeling for IC Design
該章節主要介紹了14nmFinFET相關的器件特性，給出了器件隨着尺寸縮小電學參數變化的趨勢。隨着先進工藝而帶來的一些新的效應：量子隧穿效應、短溝效應、DIBL效應、熱載流子效應、速率飽和效應等。這些新增的效應對於器件的特性行爲有着極大的影響。隨着器件尺寸的縮小，Layout Depend Effect愈發重要… FinFET:凸起的SourceDrain像鯊魚的鰭
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