《漲知識啦19》---HEMT 的電流崩塌效應

《漲知識啦19》—HEMT 的電流崩塌效應 在之前的《漲知識啦》章節中，小賽已經介紹了GaN材料中極化效應以及二維電子氣（2DEG）的產生原理。因2DEG具有超高的溝道遷移率，所以2DGE可以應用在高電子遷移率晶體管（HEMT）中，而本週主要介紹的是GaN基HEMT中存在的電流崩塌現象。HEMT主要是以2DEG爲導電溝道中的電流載體，通過改變柵電極偏置電壓控制溝道中2DEG的通斷，實現對HEMT電

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