《漲知識啦21》---增強型 HEMT器件

GaN 基高電子遷移率場效應管(HEMT)在高頻大功率器件方面具有突出的優勢，並在其應用領域已取得重要進展，但GaN基HEMT器件大功率應用的最大挑戰是其「normally-on」特性。對於傳統的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生長的結構存在較強的極化效應，導致在AlGaN/GaN異質結界面處產生大量的二維電子氣（2DEG），且在零偏壓下肖特基柵極無法耗盡溝道中高濃度的二維電子氣

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