EEPROM與內存Flash消耗能量計算

本篇文章要介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內存Flash消耗能量計算。 首先，我們來看看非易失性存儲器在典型的3.3V EEPROM寫入過程中所消耗的能量待機電流爲1μA，寫入時間爲5 ms，寫入電流爲3 mA（表1）。我們假設：一旦VDD上升到工作限制內（上電時間），EEPROM就準備開始工作零）。 •寫入的數據量適合一頁，並且使用塊寫入功能進行寫入。 •EEPROM的寫入時間僅是執行EEP

>>阅读原文<<