由於STM32的FLASH擦寫次數有限（大概爲1萬次），因此爲了延長FLASH的使用時間，咱們平時調試時能夠選擇在SRAM中進行硬件調試。除此以外，SRAM 存儲器的寫入速度比在內部 FLASH 中要快得多，因此下載程序到SRAM中的速度較快。git
因此咱們頗有必要創建兩個版本的工程配置，在SRAM中調試程序完畢後，再把代碼下載到FLASH中便可。這篇筆記主要分享在keil5中配置FLASH調試與SRAM調試的詳細配置方法及如何切換兩種配置。github
本篇筆記以STM32F103ZET6爲例。其FLASH大小爲512KB，SRAM的大小爲64KB。FLASH基地址爲0x08000000，SRAM基地址爲0x20000000。在STM32F10XXX裏，能夠經過BOOT一、BOOT0引腳來選擇三種不一樣的模式：sass
咱們要在FLASH中進行硬件仿真調試仍是在RAM中進行硬件仿真調試須要對這兩個boot腳進行對應的設置以及程序下載的地址進行設置。微信
在FLASH中進行硬件仿真調試
一、硬件設置函數
BOOT0配置爲0，BOOT1隨意設置。spa
二、keil設置3d
本文以keil5爲例。步驟以下：調試
（1）點擊以下按鈕，修改target的名稱：code
target的名稱是能夠隨意更改的，咱們這裏改成FLASH。blog
（2）點擊Project->Options for Target Flash...（也能夠點擊魔術棒那個圖標）進行配置。首先對Target選項卡設置：
設置IROM1的起始地址爲0x8000000，大小爲0x80000，即FLASH的基地址與大小。設置IRAM1爲0x20000000，大小爲0x10000，即SRAM的基地址與大小。
（3）Debug選項設置：
調試器根據實際進行選擇，咱們這裏使用的調試器是ULINK2。其它的按默認設置便可，而後點擊Settings:
（4）編譯，而後按Ctrl+F5進入調試界面：
而後點擊全速運行：
在Disassembly窗口中可看到地址爲0x0800xxxx，說明代碼燒進了FLASH中，這時候就能夠像使用其餘C語言IDE調試C語言程序同樣打斷點、單步運行咱們的STM32程序啦。
在SRAM中進行硬件仿真調試
在SRAM的仿真調試配置比FLASH中的配置要麻煩一點，我配置的時候遇到很多問題~
一、硬件設置
BOOT0配置爲1，BOOT1配置爲1。
二、keil設置
（1）新建一個target，並修更名稱爲SRAM：
（2）切換至SRAM Target：
（3）點擊Project->Options for Target SRAM ...（也能夠點擊魔術棒那個圖標）Target選項卡設置：
設置IROM1的起始地址爲0x2000000，大小爲0x8000（32KB）；設置IRAM1的起始地址爲0x2008000，大小爲0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分爲32KB的FLASH（固然這是SRAM虛擬出來的FLASH，掉電易失）和16KB的RAM。
（4）C/C++選項設置：
爲何在RAM中調試要設置這個宏而在FLASH中調試卻不須要？這是由於咱們的中斷向量表默認位於FLASH中，而此時咱們要在RAM中進行調試，因此須要把中斷向量表拷貝到RAM中，相關代碼在system_stm32f10x.c的SystemInit函數中：
其實system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相關的代碼：
把這行代碼打開便可把中斷向量表拷貝到RAM中。可是這裏選擇在C/C++選項選項裏添加宏，由於這樣能夠保證SRAM版本與FLASH版本代碼的一致性。
（5）Debug設置：
與在FLASH中調試不一樣的是，這裏須要加入.ini文件：
這個.ini能夠本身建立（也能夠在芯片支持包裏找到），這裏咱們建爲Dbg_RAM.ini。文件裏的內容以下：
其中這裏的第11行是須要根據實際進行修改的，須要把工程編譯得出的.axf格式文件的路徑及其文件名填到這裏。這裏由於咱們這裏的的.ini文件在.axf的上一級目錄：
因此此處以./Objects來表示。若是以爲麻煩的話，能夠把.axf文件與.ini放在同一個目錄下。
其它的按默認設置便可，而後點擊Settings，並進行以下設置:
圖中咱們須要勾選Verify Code Download及Download to FLASH選項，也就是說點擊調試按鈕後，本工程的程序會被下載到內部 SRAM 中，只有勾選了這兩個選項才能正常仿真。 (至於爲何 FLASH 版本的程序不須要勾選，不太清楚) 。
Download Function中的擦除選項配置爲Do not Erase。這是由於數據寫入到內部 SRAM 中不須要像 FLASH 那樣先擦除後寫入。 Programming Algorithm 的地址要與咱們Target選項卡里設置的地址一致，不然可能會出現以下錯誤：
（6）編譯，而後按Ctrl+F5進入調試界面，而後點擊全速運行：
在Disassembly窗口中可看到地址爲0x2000xxxx，說明代碼燒進了SRAM中，這時候就能夠像使用其餘C語言IDE調試C語言程序同樣打斷點、單步運行咱們的STM32程序啦。
以上就是在FLASH中調試與在SRAM中調試的設置方法，調試代碼時能夠選擇SRAM版本的配置，調試完成再切換回FLASH版本的配置，把程序下載到FLASH中。切換方法：
在RAM中調試的優缺點
如下來自《【野火】零死角玩轉STM32—F429挑戰者V2.pdf》。
優勢：
一、載程序很是快。 RAM 存儲器的寫入速度比在內部 FLASH 中要快得多，且沒有擦除過程，所以在 RAM 上調試程序時程序幾乎是秒下的，對於須要頻繁改動代碼的調試過程，能節約不少時間，省去了煩人的擦除與寫入 FLASH 過程。另外，STM32 的內部 FLASH 可擦除次數爲 1 萬次，雖然通常的調試過程都不會擦除這麼屢次致使 FLASH 失效，但這確實也是一個考慮使用 RAM 的因素。
二、不改寫內部 FLASH 的原有程序。
三、對於內部 FLASH 被鎖定的芯片，能夠把解鎖程序下載到 RAM 上，進行解鎖。
缺點：
一、存儲在 RAM 上的程序掉電後會丟失，不能像 FLASH 那樣保存。
二、SRAM空間較小。
以上就是本次分享的關於RAM調試與FLASH調試的筆記，更多的相關原理、細節可查閱《【野火】零死角玩轉STM32—F429挑戰者V2.pdf》。可在本公衆號嵌入式大雜燴聊天界面回覆關鍵字：調試，進行獲取本筆記對應工程及《【野火】零死角玩轉STM32—F429挑戰者V2.pdf》。本篇筆記若有錯誤歡迎指出！謝謝
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