MOSFET、IGBT的結構與工作原理詳解

來自百度百科 先學習一下MOSFET 圖1是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層，最後在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極），如圖所示。 圖  1 從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩

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