51基礎知識——51單片機小結（一）

時間 2020-02-05

標籤基礎知識單片機小結简体版

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本文最後編輯於2020-2-3學習

概述

51單片機是比較適合新手入門的一款單片機，結構簡單，易於學習。本博客爲筆者自學完單片機後進行的小總結。
單片機我也是學學放放，中間遇到了不少挫折（固然如今也是），我是自學了C語言以後，在大一下學期開始接觸51的，因此，個人51系列blog比較淺顯，由於用單片機的時間較少，因此，也並不全面，僅供參考。若有錯誤，敬請指正。.net

正文

51單片機的結構(基於MCS-51)

單片機也叫單片微控制器，能夠簡單的理解爲：一種集成在芯片上的微型計算機系統。通用計算機採用馮諾依曼結構（不徹底是馮諾依曼結構）而51單片機屬於哈佛結構。
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爲何51單片機要使用哈佛結構？

（這裏之說馮諾依曼結構與哈佛結構的差別）馮諾依曼結構認爲程序是特殊的數據，因此將程序與數據一塊兒存儲，而哈佛結構將程序與數據分離存儲。單片機通常用於控制領域，我的電腦，死機的話能夠重啓，而單片機通常工做時無人看管，若是跑飛，可能會形成極大的損失。在馮諾依曼結構中，數據與程序一塊兒儲存，程序跑飛，可能會對原有的程序片斷進行修改，而在哈佛結構中程序片斷與數據分離，即便跑飛，程序也不會被修改，（且跑飛後規律很明顯，程序區不變，數據區的數據不斷變化），相對馮諾依曼結構，哈佛結構的單片機跑飛的概率會變低。get

存儲器結構

既然講到了哈佛結構是程序與數據分開來存儲的，那就說一說51存儲器的結構
ROM：程序存儲器
RAM：數據存儲器
對於51單片機來講__ROM__是必備的，沒有ROM單片機就不能工做，當單片機工做時，指令是從ROM去除來一條一條的執行的。
ROM又有內部ROM和外部ROM之分，內部ROM是在單片機內部的，而外部ROM，是經過地址總線來和單片機通信的。博客

單片機是如何來判斷該從內部ROM開始讀取程序仍是從外部RAM開始讀取程序？

這裏引出單片機的第一個比較重要的引腳EA(EA要加上劃線，取反)，當EA爲高電平（5v）時，單片機從內部存儲器開始讀取程序，當EA爲低電平時，單片機從外部存儲器開始讀取程序。io

高電平與低電平

在數字電路中高電平表明1，低電平表明0，通常規定低電平爲0~0.25V，高電平爲3.5~5V。入門

爲何單片機有一些引腳要加上劃線（如 EA引腳）？

加上劃線的引腳表明低電平有效，如EA引腳，加低電平的話，單片機才從外部ROM開始讀取指令執行（這樣說不嚴謹，能夠簡單的這樣記）。原理

引腳

51單片機一共有40個引腳：P0、P一、P二、P三、VCC、GND、RST、EA（反）、ALE、PSEN（反）、XTAL一、XTAL2.
P0到P3爲輸入輸出口。
VCC、GND是主電源引腳。
RST、EA（反）、ALE、PSEN（反）爲控制引腳。
XTAL一、XTAL2爲震盪電路引腳。程序

爲何須要震盪電路？

震盪電路通常使用晶振和電容組成、能夠產生標準的正弦波信號，至關於單片機的心臟，震盪電路震盪一次，產生一個脈衝信號，單片機執行一次或屢次指令。im

關於控制引腳

RST就至關於重啓
EA（反）至關於要不要從u盤中啓動

其餘待補充。。。（目前尚未用到）

I/O口

P一、P二、P3 做爲 準雙向I/O口 來使用，P0做爲 雙向I/O口 使用。

準雙向I/O口

準雙向I/O口在做爲輸入口使用時，應先寫1，再使用。
其中
1.在有外部存儲器或拓展I/O口時P0分時複用爲低八位地址總線或雙向數據總線、P2做爲高八位地址總線或雙向數據總線。
2.P0口做爲I/O口輸入時，不須要上拉電阻但須要先置1而後再使用
3.P0口輸出時，因爲內部沒有上拉電阻，故要外接上拉電阻
4.只有P0口沒有內接上拉電阻，其餘口都有上拉電阻