如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

採用FRAM的MCU爲什麼就能具備諸多優點呢?舉例說明:TI作了一個實驗，若是要寫13Kbps的數據到DRAM裏須要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去作寫的功能，但若是用FRAM來作只要10ms、9uA就能夠把數據寫完。經過比較能夠看到，若是要寫不少數據到Flash等傳統存儲器裏，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。
 
從擦寫數據次數來看，通常存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM能夠在寫了10次方後仍可繼續進行擦寫操做。因爲FRAM速度和SDRAM寫的速度差很少相同，在整個MCU架構裏，TI作了總體化的類選，就是說放16個FRAM在1個MCU裏，這時候FRAM能夠當SDRAM使用，也能夠充當Flash以及EEPROM去使用,這樣總體存儲器用起來效率更高，使用更方便，這是一個全新的MCU存儲技術。
 
在應用層上FRAM適用於什麼地方呢?應用在傳感器上FRAM的優點可明顯體現出來，FRAM可快速將傳感器獲得的數據記錄下來，若是用Flash來作就會數據寫的時間很長，傳感器數據讀完後再寫，反覆間斷性讀寫動做使每一個數據點都是分開的，沒法作到數據讀寫的連續性。在射頻的應用上，Flash因速度的限制會使功耗上升的很高。若是用FRAM讀取與傳輸都是在同步高速進行，節省時間的同時也讓功耗大幅下降。
 
如在傳感器數據記錄上，其它存儲介質因爲功耗的緣由而對傳感器的安放地點要有所限制，增長了維護成本。而採用FRAM的MCU經過能量收集技術，使得能在更多的位置安放更多的傳感器。
 
因爲目前MCU存儲介質大都採用Flash，因此FRAM針對內存Flash的優點天然被TI視爲第一比較對象。若有限的數據更新/寫入速度與連續且可靠的監視、存儲和RF傳輸;選擇性監視與連續監視;消耗長達1個月的電池壽命與耗用不到6小時的電池壽命:數據塊級擦除及編程與位級存取;須要冗餘(鏡像）存儲塊與可在電源丟失的狀況下保證寫入操做等。