FRAM低功耗設計使寫非易失性數據操作消耗更少的功耗

FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規格與EEPROM的待機/睡眠電流規格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨大影響，特別是當應用程（如:智能電子式電錶）頻繁的記錄數據而使寫密集時。除了EEPROM中有功電流不足，EEPROM 還產生額外頁編寫延遲，這樣導致器件在較長時間內保持活躍模式。它會使功耗增加。 使用以下的公式1和公式2計算出寫入FRAM和EEP

>>阅读原文<<