MBR10150CT那些參數

MBR10150CT那些參數

描述
      MBR10150CT肖特基二極管，在製造中採用的主要工藝技術包括：硅外延襯底，Pt環技術，勢阱金屬和硅合金技術，器件採用兩片芯片，conmon陰極，塑料半封裝結構。

主要特徵
◆半橋整流，共陰極結構。
◆多層金屬 - 硅電位結構。
◆低功耗，高效率。
◆美觀的高溫特性。
◆具備過壓保護迴路，可靠性高。
◆RoHs產品。
◆操做溫度：150℃
◆儲存溫度：-50℃至+ 150℃
◆每一個iodeThermal Resistance 4C / W Junction to Case
◆總熱阻2.4°C / W結至外殼

主要用途
◆低壓高頻開關電源。
◆低壓高頻逆變電路。
◆低壓持續電路和保護電路。