非易失性存儲器平衡方法

非易失性存儲器在高級節點上變得愈來愈複雜，在高級節點上的價格和速度，功率和利用率正在成爲一些很是特定於應用程序的折衷，以決定該存儲器的放置位置。
 
NVM能夠嵌入到芯片中，也可使用各類類型的互連技術將其移出芯片。可是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓，NVM的類型以及其中存儲的內容以及整個芯片或系統的預算。
 
性能最高的處理器使用的工藝幾何尺寸最小，這反過來將對NVM提出最高要求。NVM面臨的一些挑戰是在較小的幾何尺寸上擴展容量的相對困難，以及須要實施更高的電壓來對單元進行編程。在更精細的工藝幾何尺寸下，可能須要更多的裸片面積來支持額外的處理核心所需的容量，而且可能須要額外的制形成原本支持更高的電壓。
 
這已成爲在較小几何尺寸的功率/性能改進與能夠經濟高效地嵌入多少內存之間的一種平衡方法。
 
在非易失性存儲器中，當降至40nm如下時，嵌入它的成本將變得很是高，所以可能最終會在內部使用更多的SRAM，但隨後將NVM委託給外部設備。可是這樣作時，挑戰就變成了具備足夠的帶寬性能以可以以省電的方式執行。
 
一些MCU公司正在轉向外部存儲器而不是內部存儲器，並使用性能更高的八進制NVM來作到這一點。
 
這樣作的優勢之一是簡單。所以，裸NAND設備正趨向於固態驅動器和存儲卡，對須要直接與裸NAND接口的設備（不包括存儲控制器）的要求愈來愈少。
 
隨着SPI（串行外設接口）總線上設備的多樣性增長，以及高速SPI接口（特別是四路SPI，八路SPI，xSPI）的泛濫，它已經成爲一種很是有趣的總線，除了啓動並直接執行以外公交車。這種方法在恩智浦不具備片上嵌入式存儲器的微控制器系列中很明顯。