三星正在改善1Gb MRAM壽命問題

據報道三星已經成功研發出有望替代嵌入式閃存存儲器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機訪問內存（eMRAM），容量爲1Gb，測試芯片的優良率已達90%。

隨着5G物聯網時代的來臨，存儲器領域發展快速，而在這一領域，韓系廠商擁有着比較明顯的優點。

MRAM芯片是一種以電阻爲存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，能夠兼作內存以及硬盤的新型存儲器介質。寫入速度可達到NAND閃存的數千倍，此外其製做工藝要求低，產品良品率高，能夠很好的控制成本。在壽命方面因爲MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠遠超傳統RAM。

報道稱三星也正在改善1Gb MRAM壽命問題，除了支持長達10年的存儲年限以外，在105℃的溫度也可完成1億次讀寫，在85℃下則可增長至100億次讀寫，在正常工做環境中，則有望達到1兆次讀寫。目前以MRAM爲表明的新型存儲已經發展到了關鍵階段，是否能成爲取代NAND閃存的下一代存儲器介質除了材料和工藝的不斷的完善以外，構建完善器件的技術生態系統一樣是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推進下，存儲產品必定朝着性能更高以及容量更大以及成本更優的方向發展。

致力於生產MRAM存儲器的 EVERSPIN在磁存儲器設計，製造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處於市場領先地位。 Everspin在數據中心在汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM的產品，爲全球MRAM用戶奠基了最強大，增加最快的基礎。