IBM與三星研發MRAM 成果在數年內或將全面推出

11納米自旋力矩存儲器正蓄勢待發   在IBM Research大會發布的創新成果當中，我們赫然發現傳說中已經擁有二十年開發歷史的非易失"通用型"磁性隨機訪問存儲器（簡稱MRAM）正在進行升級。IBM方面日前（7月7日）表示，通過與代工巨頭三星公司的合作，其正在利用自旋轉移力矩（簡稱STT）設計對MRAM加以進一步完善。 速度比閃存更快，密度較動態隨機訪問存儲器（DRAM）更高，這種通用型存儲器方

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