everspin展示28nm單機1Gb STT-MRAM芯片

Everspin向市場展示了其28nm單機1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存儲器設計，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處於市場領先地位。本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產品化和優異的性能，是產品其能夠在-35C至110C的工業溫度範圍內使用。 圖1. Everspin 40nm 1.

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