STM32103C8T6 FLASH模擬EEPROM實驗
《STM32中文手冊》根據芯片想型號找存儲地址。我是用是STM32F103C8T6 那麼我需要查看錶3，同時需要記得每頁爲1K字節 STM32F103C8T6 屬於中容量產品，但是flash是64K的而不是128K的。內存參照表3但是不完全一樣。 表3 ：存儲的數據比較少，我選擇地址爲62頁（0x0800 F800 -0x0800 FBFF）和63頁 （0x0800 FC00 -0x0
相關文章
- 1. STM32 FLASH模擬EEPROM實驗
- 2. 15、flash模擬EEPROM
- 3. 記一次「粗暴」的Flash模擬EEPROM法（用的STM32F030C6芯片，沒找到模擬EEPROM庫函數）
- 4. Stm32的Flash模擬EEPROM與BOOT基本瞭解
- 5. STM32F0xx系列 基於LL庫的Flash模擬EEPROM
- 6. Eeprom和Flash的區別
- 7. STM8S——Flash program memory and data EEPROM
- 8. MPC5744 Data Flash 仿真 EEPROM
- 9. 既生Flash，又何生EEPROM？
- 10. EEPROM與Flash的區別
- 更多相關文章...
- • XML 驗證 - XML 教程
- • DTD 驗證 - DTD 教程
- • 委託模式
- • ☆基於Java Instrument的Agent實現
相關標籤/搜索
每日一句
-
每一个你不满意的现在，都有一个你没有努力的曾经。
歡迎關注本站公眾號,獲取更多信息
相關文章
- 1. STM32 FLASH模擬EEPROM實驗
- 2. 15、flash模擬EEPROM
- 3. 記一次「粗暴」的Flash模擬EEPROM法（用的STM32F030C6芯片，沒找到模擬EEPROM庫函數）
- 4. Stm32的Flash模擬EEPROM與BOOT基本瞭解
- 5. STM32F0xx系列 基於LL庫的Flash模擬EEPROM
- 6. Eeprom和Flash的區別
- 7. STM8S——Flash program memory and data EEPROM
- 8. MPC5744 Data Flash 仿真 EEPROM
- 9. 既生Flash，又何生EEPROM？
- 10. EEPROM與Flash的區別