Eeprom和Flash的區別

　　存儲器分爲兩大類：ram（內存：隨機存儲器）和rom（外存：程序存儲器），分別存數據和程序。

　　ram就不講了，今天主要討論rom。 

　　（1）rom最初不能編程，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。

　　（2）後來出現了prom，能夠本身寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒黴。

　　（3）人類文明不斷進步，終於出現了可屢次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序以後發現有個地方須要加一句話，爲此你要把單片機放紫外燈下照半小時，而後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾回。

　　（4）歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現了，拯救了一大批程序員，終於能夠隨意的修改rom中的內容了。

　　（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的進化！）

    　EEPROM的全稱是「電可擦除可編程只讀存儲器（不要以爲多高大上，其實常常都會用到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對於紫外擦除的rom來說的。可是今天已經存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統稱。

　　

　　flash屬於廣義的EEPROM，由於它也是電擦除的rom。可是爲了區別於通常的按字節爲單位的擦寫的EEPROM，咱們都叫它flash。狹義的EEPROM：這種rom的特色是能夠隨機訪問和修改任何一個字節，能夠往每一個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電後數據不丟失，能夠保存100年，能夠擦寫100w次。具備較高的可靠性，可是電路複雜/成本也高。所以目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，絕少有超過512K的。

　　flash作的改進就是擦除時再也不以字節爲單位，而是以塊爲單位，一次簡化了電路，數據密度更高，下降了成本。上M的rom通常都是flash。

　　flash分爲nor flash和nand flash。nor flash數據線和地址線分開，能夠實現ram同樣的隨機尋址功能，能夠讀取任何一個字節。可是擦除仍要按塊來擦。

　　nand flash一樣是按塊擦除，可是數據線和地址線複用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）

　　因爲nandflash引腳上覆用，所以讀取速度比nor flash慢一點，可是擦除和寫入速度比nor flash快不少。nand flash內部電路更簡單，所以數據密度大，體積小，成本也低。所以大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash可能是nor型的。

　　使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。並且nand flash能夠標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便沒法再用。

 　   由於nor flash能夠進行字節尋址，因此程序能夠在nor flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。

 

參考博文：http://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106