超低功耗ST-MRAM內存架構

ST-MRAM有潛力成爲領先的存儲技術，由於它是一種存儲器（能夠挑戰DRAM和SRAM），可擴展至10nm如下，並挑戰了閃存的低成本。STT表明旋轉傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉。

目前有研發人員開發了一種新的超低功耗ST-MRAM架構，稱爲Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時實現了超高MR比，高速開關和低RA。

SL STT MRAM結構

SL-ST-MRAM基於SL-ST-MTJ，它使用超晶格勢壘代替了傳統STT-MTJ中的單晶（MgO）勢壘。超晶格屏障由交替的金屬層和絕緣層組成，其中在絕緣層中僅使用非晶而不是單晶。與傳統的基於MgO的ST-MRAM相比，SL-ST-MRAM具備更高的重複寫入可靠性。

研發人員進一步說，SL-ST-MRAM的生產與傳統的ST-MRAM工藝兼容，而且根據他們的發現，SL-ST-MTJ能夠下降90％以上的開關功率和RA值，而MR比和開關速度能夠增長十倍以上.研究人員如今正與業界接觸，尋找能夠進一步開發SL-ST-MRAM技術並使其商業化的合做夥伴。