深層理解MIS結構，助力金半接觸載流子注入效率的提升

深層理解MIS結構，助力金半接觸載流子注入效率的提升 衆所周知，高AlN組分AlGaN材料的歐姆接觸一直是困擾業界的一大難題。我司技術團隊藉助Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，發現當在n型AlGaN層與金屬接觸電極之間插入絕緣薄層時 (i.e., Metal/Insulator/Semiconductor:MIS)，可有效屏蔽界面處的肖特基勢壘，因此可顯著抑制AlGaN材料表面耗盡

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