經常使用存儲器

存儲器分類

存儲器分爲兩類，一是易失性存儲器和二是非易失性存儲器(即掉電以後數據還能正常保存的性能)

易失性存儲器的讀寫速度通常較快，而非易失性存儲器較慢

RAM存儲器

DRAM經過電容的充放電錶示邏輯1和0,可是因爲電容的電壓容易改變，就會致使DRAM中存儲的數據就會改變，故DRAM有一個刷新機制，即Dynamic(動態)，每過一段時間來檢查每一個電容的值，因爲掉電使電壓變小時，電容大於閾值，但小於邏輯1，電容就會被充電，反之，當電容小於閾值，但大於邏輯0時，電容就會被放電。

SRAM經過鎖存器來保存數據，SRAM只須要一直供電便可完完整整地保存數據，並不會由於放電丟失。

DRAM與SRAM比較

DRAM通常使用同步通信的，SDRAM(Synchronous DRAM)同步通訊

SRAM使用異步通信

ROM(Read Only Memory)存儲器

EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)可擦除可編程只讀存儲器 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)帶電可擦可編程只讀存儲器

NOR FLASH的結構較爲複雜，而NAND FLASH的結構較爲複雜

STM32中的FLASH爲NOR FLASH雖然容量較小可是死區(即沒法使用的區域)較少，因爲NOR FLASH能夠基於字節讀寫，故支持XIP(程序在片上執行功能)。

而NAND FLASH通常作大容量的數據存儲，例如移動硬盤等

而與ROM等存儲器相比較，FLASH的擦除操做爲塊擦除，而ROM是字節擦除