海力士發佈72層256G 3D閃存芯片 適合未來iPhone

蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發佈了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。 海力士自從2016年11月開始生產 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 層 128Gb 3D NAND

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