寬輸入、高輸出電流的非隔離降壓轉換器的設計使用伊根FET

       設計和建造具有寬輸入電壓範圍和高輸出電流的隔離降壓型DC/DC轉換器，在標準5 V輸出端使用硅MOSFET可以實現，但性能有限，尤其是在低負載和高輸入電壓下。更重要的是，隨着硅的成熟，在輸入電壓高的情況下，在輕負載下，從寬輸入降壓型DC/DC轉換器中榨取更多的汁液是具有挑戰性的。與硅MOSFET，增強型氮化鎵基場效應晶體管(Egan)承諾過的輸入和輸出參數的一組相同寬的負載提供更好的

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