基於MRAM和NVMe的未來雲存儲解決方案

在2019全球閃存峯會上，Everspin作爲全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的雲存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作爲異常掉電數據緩存的介質有以下幾大優勢： 非易失性存儲器芯片，比傳統的SRAM或者DRAM在數據保持方面更強； 芯片容量較大，單顆芯片容量高達1Gb； 採用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強性能； 擦寫次數幾十億次！

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