基於NAND閃存的SSD解決方案的STT-MRAM

做爲克服現有基於NAND閃存的SSD的解決方案，everspin提供具備ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可經過提供高速非易失性存儲來提升SSD的系統性能和可靠性。機上數據。經過添加STT-MRAM來補充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM（圖1），SSD控制器如今能夠將該高速非易失性存儲器用於寫緩衝區和以前運行的任何其餘關鍵數據易揮發的。

圖1具備電源故障保護功能的混合DDR / STT-MRAM SSD架構

對於企業級固態硬盤，電源管理系統的設計很重要。系統必須檢測電源故障，將驅動器與主機隔離，並用足夠的能量存儲來支撐驅動器，以容許將任何運行中的數據提交到非易失性存儲器中，以確保數據完整性。完成此操做所需的保持能量與飛行中的數據量，非易失性存儲器的速度和系統的功耗成正比。能夠將這種保持能量存儲提供的時間量視爲電源故障窗口或在耗盡保持能量以前可用於存儲不受保護的數據的時間。

爲了支持由不一樣等級的不一樣內存類型組成的異構DDR架構，理想狀況下，SSD控制器中包含的DDR控制器須要支持處理STT-MRAM的不一樣時序和尋址要求，以實現最佳性能。 SSD控制器還必須採用其餘邏輯來正確管理DDR控制器緩衝區中正在傳輸的少許常駐數據，以確保在斷電以前將管線刷新到STT-MRAM並關閉STT-MRAM中的全部打開頁面。