大功率可調諧半導體激光器總結（二）

1.參考文獻：2010年 Broadly tunable high-power InAs/GaAs quantum-dot external cavity diode lasers 文章題目叫做寬調諧大功率InAs/GaAs量子點外腔激光器，他實現了最大480mw的輸出功率以及1122-1324nm的調諧範圍，採用的是littrow結構，實現高功率，對比了SOA芯片與增益芯片的不同，SOA芯片總是

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