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NAND Flash的基本操作——讀、寫、擦除
時間 2021-07-14
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轉載地址:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5c401a150101d7hi.html 基本操作 這裏將會簡要介紹一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash內部是如何進行的,基本操作包括:讀、寫和擦除。 讀: 當我們讀取一個存儲單元中的數據時(如圖2.4),是使用一個門電壓Vread(0V)作用於gate端,而沒有被讀取的存儲單元的gate端則
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