3納米、2納米、1納米芯片該如何造？

來源：EETOP編譯 目前臺積電和三星正在加緊開發他們的3nm和2nm技術，目前預計分別在2022年和2024年推出。1nm及以上工藝也正在進行中，但是距離仍然很遠。 業界希望從3nm開始，從當今的finFET晶體管過渡到全能柵極或稱爲環繞式柵極FET(GAA)。在2nm甚至更高的製程下，業界正在研究當前和新版本的GAA晶體管。 在這些節點上，芯片製造商可能會需要新設備，例如下一代極紫外線（EUV

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