第3章存儲系統--RAM

一:本章概述 一 主存儲器 MAR:Memory Address Register MDR:Memory Data Register 二存儲器芯片的基本結構 片選 線兩種模式:高電平有效，低電平有效。 存儲字長對應數據線條數。 8K*8位，地址線13根，數據線8根。 三尋址 一.半導體存儲器RAM 半導體隨機存取存儲器 訪問的時間與訪問地址無關。 SRAM:靜態隨機存取存儲器 DRAM:動態隨機存

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