爲高性能FPGA平臺選擇合適的存儲器

從純技術角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質性的發展，約爲48ns，這與21MT/s的RTR相關。其他基於DRAM芯片的存儲設備已被設計爲以密度爲代價提高tRC。例如RLD RAM3的RC爲8ns，與125MT/s的RTR相關。從本質上講DRAM芯片是針對涉及確定性計算算法的順序訪問進行優化的

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