NAND FLASH 和NOR FLASH工作原理

存儲數據的原理 兩種閃存都是用三端器件作爲存儲單元，分別爲源極、漏極和柵極，與場效應管的工作原理相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的電流消耗極小，不同的是場效應管爲單柵極結構，而FLASH爲雙柵極結構，在柵極與硅襯底之間增加了一個浮置柵極。 浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於50埃，以避免發生擊

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