NAND FLASH 原理

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 閃存保存數據的原理: 與DRAM以電容作爲存儲元件不同，閃存的存儲單元爲三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用 來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。採用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是

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