存儲世界的兩個祖師爺和他們的後代們！！！

1、存儲世界的兩個祖師爺：RAM & ROM 

 {注：所說性能高低好壞是在其餘規格大小前提一致的狀況下比較而言的！}

RAM: 易失性隨機高速高價存儲（掉電丟失、可讀出可寫入）

ROM: 非易失性非隨機低速低價存儲（掉電不丟失、只讀）

 

2、RAM祖師爺的兩個兒子：阿修羅（SRAM）、因陀羅（DRAM）

{注：所說性能高低好壞是在其餘規格大小前提一致的狀況下比較而言的！}

一、阿修羅（SRAM）:

　　【父親特性+】靜態高價高性能低集成的經常使用來做爲介於CPU與內存間的高速緩存（不用刷新）

二、因陀羅（DRAM）:

　　【父親特性+】動態低價低性能高集成的經常使用來做爲計算機內存（週期刷新）

 

3、ROM祖師爺的四個後代 ：

ROM(掩膜ROM)、PROM(可一次性編程)、EPROM(紫外線擦除可改寫ROM)、

　　　　　　　　EEPROM(電擦除可改寫ROM)

第一代火影：ROM(掩膜ROM)

第二代火影：PROM(可一次性編程)

第三代火影：EPROM(紫外線擦除可改寫ROM)

第四代火影：EEPROM(電擦除可改寫ROM)

 

4、兩祖師爺後代各有優缺點，可是兩個祖師爺後代的長處和短處又能夠互補，

因此兩個祖師爺的後代進行聯姻，產出了強大無比的一代---第七代火影：FLASH(閃存)

 

5、優秀的混血兒：FLASH

　　結合了ROM和RAM的長處，成爲：

第七代火影：非易失性隨機高速低價存儲常見如U盤、硬盤等。

兩個第七代火影：

一、明處---鳴人：NOR FLASH->非易失讀出快寫入慢具備XIP性能有SRAM接口主要壟斷1~16M市場用於「代碼存儲」（XIP == EXCUTE IN PLACE, 例如 MCU FLASH ）;

二、暗處--佐助：NAND FLASH->非易失讀出慢寫入快主要論斷>16M市場用於「數據存儲」（例如SD卡）

 

 6、拓展---單片機的存儲-----【一拳超人】

1、51的內存問題引起的鬥爭！！！

就是在片外，程序存儲和數據存儲是在一塊兒的，而在片內cache這一層又進行分開。嚴謹的來說應該叫作「混合架構」

單片機的運行本質是寄存器之間的尋址，取指，執行，是數據的處理和運算，像一個司令部同樣掌管着一切可是也較爲複雜，內存像是祕書部同樣，坐着數據交換的工做，上傳下達。

戰爭程序在內存中存儲，一旦觸發，將會按照事先預約好的做戰計劃嚴格的一步一步

嚴格執行！

 

2、C51是哈式架構仍是馮式架構呢？

從表面上看，是哈佛結構，程序存儲器和數據存儲器是分開的。透過現象看本質，首先看一句英文描述：The Harvard architecture is a computer architecture with physically separate storage and signal pathways for instructions and data.    哈佛結構須要知足兩點：

第一點就是程序和數據存儲要分開存儲，

第二點是程序和數據要有單獨的讀取路徑，

顯然51單片機不知足第二點，由於51單片機共用數據線和地址線，雖然指令是分開的。真正的哈佛結構能夠看下cortex-M3內部框圖，在手冊裏是顯式的說明了的是哈佛結構。

從上面的架構圖中能夠看到，cortex-M3內部是具備兩條單獨的數據路徑的，分別用於指令和數據。再來引伸一點，看看cortex-A9內部架構，以及官方的描述。

 

 

哈佛結構是一種將程序指令存儲和數據存儲分開的存儲器結構。中央處理器首先到程序指令存儲器中讀取程序指令內容，解碼後獲得數據地址，再到相應的數據存儲器中讀取數據，並進行下一步的操做（一般是執行）。程序指令存儲和數據存儲分開，可使指令和數據有不一樣的數據寬度，如Microchip公司的PIC16芯片的程序指令是14位寬度，而數據是8位寬度。哈佛結構的微處理器一般具備較高的執行效率。其程序指令和數據指令分開組織和存儲的，執行時能夠預先讀取下一條指令。目前使用哈佛結構的中央處理器和微控制器有不少，除了上面提到的Microchip公司的PIC系列芯片，還有摩托羅拉公司的MC68系列、Zilog公司的Z8系列、ATMEL公司的AVR系列和安謀公司的ARM九、ARM10和ARM11，51單片機也屬於哈佛結構.
PC機的代空間和數據空間是同一空間，因此是馮氏結構；

51因爲IO口不夠，但代碼空間和數據空間是分開的，因此算是哈佛結構.

 

三、C51的內存是FLASH仍是RAM

答案：都是，一個存儲程序、一個存儲數據

FLASH閃存是屬於內存器件的一種，"Flash"。閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也可以長久地保持數據，其存儲特性至關於硬盤，這項特性正是閃存得以成爲各種便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

各種 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要中止電流供應內存中的數據便沒法保持，所以每次電腦開機都須要把數據從新載入內存。

快閃存儲器（英語：flash memory-閃存），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，容許在操做中被屢次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於通常性數據存儲，以及在計算機與其餘數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的閃存進行一次抹除，就會清除掉整顆芯片上的數據。