選擇用於氮化鎵FET的柵極驅動器IC

　　隨着寬帶的可用性(WBG)設備，很多電源設計人員已經開始研究基於氮化鎵上硅場效應管的優點(GaN-on-Si)爲各種新的設計和新應用。與客戶保持一致，一些供應商已經開始迎合這種需求。然而，在開始這條路徑之前，重要的是理解硅和GaN晶體管之間的關鍵差異，因爲它們的驅動要求相應地不同。 　　與硅MOSFET，氮化鎵基場效應晶體管(GaN)運行的速度快得多在較低的柵極閾值電壓。此外，對於GaN FE

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