MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，由131,072個8位字組成。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，而且讀/寫壽命不受限制。

與其餘串行存儲器不一樣，讀取和寫入均可以在內存中隨機發生，而兩次寫入之間沒有延遲。對於必須使用少許I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用，MR25H10是理想的存儲器解決方案。

MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標誌封裝。二者均與串行EEPROM，閃存和FeRAM產品兼容。該系列產品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用於替換Cypress的型號FM24V10.

MR25H10可在各類溫度範圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供工業（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工做溫度範圍選項。

對於必須使用最少數量的引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001級合格選項。40MHz的讀寫速度，具備無限的耐力。數據非易失性，保留20年。數據保留掉電。符合RoHS的軟件包。

1Mb串行SPI MRAM
•無寫入延遲
•無限的寫續航力
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•塊寫保護
•快速，簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源範圍
•低電流睡眠模式
•工業溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標準的小標誌
包裝
•直接替換串行EEPROM，閃存，FeRAM
•AEC-Q1001級選件