Everspin串口串行mram演示軟件分析

Everspin在磁存儲器設計，製造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處於市場領先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。生產基於180nm，130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。下面要介紹關於everspin公司MRAM演示軟件分析
 
everspin公司MRAM演示軟件分析

MRAM低級驅動程序經過操做系統和調度程序集成到動力總成應用程序中。讀寫週期由系統時鐘（300MHz）測量。圖1＆2顯示了針對動力總成應用的具備不一樣非易失性存儲器接口的每一個分區的讀/寫時間。這些表顯示大多數讀/寫週期小於2ms。絕不奇怪，該表確認35ns並行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率傳輸數據。
 

Figure 1 SPI MRAM; CLK 40MHz

 
使用SPI MRAM時，因爲微控制器的硬件延遲（緩衝區接收/發送，設置/清除標誌，讀/寫存儲器）以及MRAM和微控制器總線之間的同步，所以讀週期要比寫週期花費更長的時間，與並行MRAM相似，寫入週期比讀取週期要花費更長的時間。1＆2中顯示的值包括硬件收發器，硬件延遲（收發器緩衝區，讀/寫存儲器），LLD軟件延遲以及MRAM與動力總成微控制器之間的同步。
 

Figure 2 EBI MRAM; CLK 66.666MHz

咱們用EBI和SPI接口設備驗證了不一樣的動力總成工做模式。 在整個地址空間範圍內讀寫各類類型的數據。一般，MRAM的操做和時序相似於32位微控制器的規範和時序。 並且，與DLFASH相比，當今的非易失性存儲器能夠接受MRAM設備的性能和吞吐量。