Everspin MRAM磁場抗擾度

everspin Technologies，Inc.是設計，製造和商業銷售分立和嵌入式MRAM存儲器到市場和應用程序的全球領導者，在這些市場和應用程序中，數據持久性和完整性，低延遲和安全性相當重要。宇芯電子代理商提供的高效可靠的MRAM存儲芯片。具備兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，並且耐讀/寫能力出色。 Everspin MRAM能夠說是理想的存儲器解決方案。而且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。可以運行於工業級（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度範圍內，並在整個溫度範圍內提供高度可靠的數據存儲能力。

一個主要的設計目標是，全部Everspin MRAM均不受在這些和其餘應用中遇到的環境磁場的影響，由於在這些應用中，MRAM是有效且有價值的設計元素。

實例探究
全部Everspin MRAM產品的包裝中都包含嵌入式磁屏蔽。屏蔽層由高導磁率的金屬製成，可重定向環境磁場，從而顯着下降芯片的場強。

包裝中的磁屏蔽
Everspin MRAM的電磁抗擾性超過了IEC電磁抗擾性標準國際電工委員會（IEC）標準IEC-61000-4-8規定，全部電子設備必須在至少13奧斯特（1,034 A/m）的磁場中運行。

全部Everspin MRAM產品在全部操做和處理條件下均具備至少25奧斯特（2,000A/m）的抗磁性等級。

Everspin MRAM產品超過5,000萬件在離散和嵌入式MRAM產品中可靠運行，這些產品已部署在全球數據中心，應用在各行各業產品中。這是可靠的MRAM運行超過2萬億現場設備小時。