內存狂擠牙膏Intel跪了！10nm玩出6種花樣

不一樣於CPU處理器等邏輯芯片的製造工藝都精確到具體數值，閃存、內存工藝一直都是很模糊的叫法，好比10nm-class(10nm級別)，只是介於20nm和10nm之間，而後又分爲1xnm、1ynm、1znm等不一樣版本，愈來愈先進，愈來愈接近真正的10nm。

不一樣於CPU處理器等邏輯芯片的製造工藝都精確到具體數值，閃存、內存工藝一直都是很模糊的叫法，好比10nm-class(10nm級別)，只是介於20nm和10nm之間，而後又分爲1xnm、1ynm、1znm等不一樣版本，愈來愈先進，愈來愈接近真正的10nm。

隨着先進半導體工藝難度的急劇上升，Intel這樣的巨頭都開始吃不消，在工藝上一向精打細算的閃存內存廠商也走出了一條新路，好比美光。

相比三星、SK海力士，美光雖然也是DRAM內存巨頭之一，但工藝一直不算很先進，10nm級上更是玩出了花活，擠牙膏手法之新穎讓Intel都會自嘆弗如。

美光早已有了成熟的第一代10nm級工藝也就是1xnm，目前正在擴大產能的是第二代1ynm，生產對象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。

當前美光正在與客戶驗證第三代1znm，預計很快就會官宣，並在2020財年(今年9月開始)投入量產，據稱會主要用來生產16Gb LPDDR五、DDR5顆粒。

按照DRAM內存行業以往的慣例，接下來就要超越10nm級工藝了，但想進入個位數時代實在太難，美光計劃在1nm級上多呆幾年，並準備了至少三種新的10nm級工藝：1αnm、1βnm、1γnm——沒錯，都用上希臘字母了。

如此一來，美光將會有多達六種10nm級工藝，有調研機構稱美光其實還有個升級版的1xsnm，但沒有獲得官方確認，若是屬實將有七種，切不排除將來增長更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm固然會一個比一個更先進，一個比一個更逼近10nm，不過具體細節美光暫未披露，只是說會在1βnm、1γnm階段會用上沉浸式四重曝光技術，比如今的雙重曝光、三重曝光更復雜。

同時，美光還在評估EUV極紫外光刻技術，預計屆時只需雙重曝光，可大大下降工藝複雜度，但具體何時、在哪代工藝上使用，美光尚未作出決定。

美光估計，DRAM內存生產中每個EUV層須要1.5-2套EUV光刻機，月產能可達10萬片晶圓，CPU等邏輯芯片則須要一個EUV層對應一臺EUV光刻機，月產能也僅有4.5萬片晶圓。

目前，臺積電、三星已經開始在7nm工藝升級版上部分引入EUV，接下來的5nm上會全面部署，DRAM內存行業顯然不會那麼快。