0.96寸OLED顯示屏驅動手冊（SSD1306）

MCU IIC接口

 

 

IIC通訊接口由從地址位SA0,IIC總線數據信號SDA(輸出SDAout/D2和輸入SDAin /D1)和IIC總線時鐘信號SCL（D0）。不論是數據線仍是時鐘線都須要鏈接上拉電阻。RES#是用來初始化設備的。

 

a. 從地址位（SA0）

 

SSD1306必須在發送或者接收數據前，識別到IIC總線上的從地址。設備必須回覆從地址經過從地址位（SA0位）而且配置讀寫選擇位（R/W 位）以一個字節的格式。

如：

b7	b6	b5	b4	b3	b2	b1	b0
0	1	1	1	0	SA0	SA0	R/W#

「SA0」位提供一個額外的從地址位。不論是「0111_100」仍是「0111_101」，均可以被選擇爲SSD1306的從地址。D/C#引腳做爲SA0爲從地址選擇。

「R/W#」位是被用來決定IIC協議的工做模式，R/W#=1時，爲讀模式，R/W#=0時，爲寫模式。

 

b. IIC總線數據信號（SDA）

 

SDA做爲通信統統道在發送器和接收器之間，數據和應答信號在SDA線上被髮送。

須要注意的事，ITO 軌道電阻和SDA引腳的上拉電阻變成一個潛在的分壓器，結論就是，應答可能不會達到有效的低電平，在SDA線上。

「SDAin」和「SDAout」是綁定在一條SDA線上，當SDA線爲SDAin模式時，SDAout被屏蔽，當SDAout使用時，應答信號將被IIC總線忽略。

 

c. IIC總線時鐘信號（SCL）

 

IIC總線上的信息傳送是根據SCL時鐘信號，每一次數據爲的發送都發生在一個單獨的SCl時鐘週期內。

 

 

IIC總線寫數據

 

 

IIC總線協議容許數據和命令在設備間的通信。時序以下：

 Co：連續位 D/C#：數據/命令選擇位 ACK：應答信號 SA0：從地址位

R/W：讀寫選擇位 S：開始條件 P:中止條件

 

IIC寫模式

1. 主設備開始數據通信經過開始條件，開始條件的定義以下圖。開始條件發生在SCL高電平期間，SDA產生一個降低沿的跳變。

 

 

 

 

2. 從地址緊跟着開始信號，用於設備從設備。對於SSD1306來講，從地址多是「b0111100」或者「b0111101」。經過改變「SA0位」爲0或1，（D/C引腳做爲SA0）。

3. 寫模式發生在R/W#位是低電平。

4. 應答信號在接收到一個字節的數據後有從設備產生，包括從地址和R/W#位，參考下面關於應答信號的圖示。應答信號定義爲在SCL時鐘週期的高電平期間SDA拉低。

 

 

5. 在從地址發送結束後，不論是控制字節仍是數據姐姐均可以發送經過SDA線。一個控制字節主要包括Co位和D/C#位在六個0後，

 

A. 若是Co位爲低電平，發送的後續信息只能是數據字節。

 

B. D/C#位決定下一個數據字節是數據仍是命令字節，若是D/C#字節設置爲低電平，這意味着下一個字節是命令字節，若是D/C#爲是高電平，下一個數據字節是數據字節，將被存儲在GDDRAM中，GDDRAM的列地址指針在每個數據寫以後自加一。

 

6. 應答爲在接收到一個數據字節或只命令字節後產生。

 

7. 寫模式在接受到中止信號以後結束。中止條件定義以下圖所示，中止信號發生在SCL高點平期間SDA的上升沿，做爲中止信號。

 

 

 

 

2. 命令解碼器

 

這個模塊用來決定輸入的究竟是數據仍是命令，經過D/ C#位來判斷。

若是D/C#是高電平，D[7:0]是做爲顯示數據寫在圖像數據隨機存儲器中(GDDRM)，若是是低電平，輸入的數據是被理解爲命令。而後數據輸入被解碼而且寫在相應的命令寄存器中。

2. 振盪器電路和顯示時間發生器

這個模塊是一個片上低功耗RC振盪電路。工做時鐘（CLK）能夠由內部振盪器產生或者外部時鐘源（CL引腳），經過引腳CLS選擇，若是CLS引腳被拉到高電平，內部的時鐘被選擇，CL應該開路，將CLS引腳拉低則不使用內部振盪電路，這時爲了工做正常必定要鏈接CL引腳。當內部振盪器被選擇時，輸出頻率Fosc由命令D5h A[7:4]改變。

顯示時序發生器的顯示時鐘（DCLK）源於CLK。分頻係數D能夠經過命令D5H 從1變到16。

　　DCLK=Fosc/D

顯示幀頻率由如下公式決定

 

  *   D表明時鐘分頻率，經過命令D5H A[3:0]決定，範圍是從1到16.

*K是每行的顯示時鐘，該值源於

K=相1週期+相2週期+BANK0脈寬 =2+2+54(電源復位時)

（詳情參考「段驅動器/公用驅動器」裏的「相位」）

  *多路複用比

經過命令A8H配置，復位值是（64MUX）。

*   Fosc是振盪器頻率，能夠經過命令D5h [7:4]改變，這個值越大,設置的最終頻率越高。

FR  synchronization（FR 同步）

FR同步信號能夠避免發生撕裂效應。

 

向OLED驅動器寫一個新的圖片的開始時間依賴於MCU的寫速度，若是MCU能夠完成寫一幀圖片在一個幀週期內，這個MCU被分類位高速寫MCU。對於MCU須要更長的時間完成寫操做（超過一個幀週期但每到兩個幀週期），就是慢速的一種了。

 　　對於高速寫微控制器：MCU應該開啓向ram裏寫一個新的幀數據緊跟在FR的上升沿以後，而且應該在下一個上升沿到來以前完成。

　　對於低速寫微控制器：MCU在第一個降低沿以前開始寫，必須在第三個FR脈衝上升沿到來以前完成。

復位電路

1. 顯示管關

2. 配置爲128*64顯示模式

3. 正常的短和顯示列地址和行地址映射（SEG0映射到地址00h且COM0映射到00h）。

4. 在串行接口上清除移位寄存器數據

5. 顯示開始線設置在RAM地址0

6. 列地址計數器設置爲0

7. 正常的com輸出掃描方向

8. 反向控制寄存器設置爲7Fh

9. 正常顯示模式（等同於命令A4h）

 段驅動器和公共驅動器

 段驅動器給予128個電流源來驅動OLED板，驅動電流能夠在0~100uA調節（256份），公共驅動器發生電壓掃描脈衝。

段驅動波形被分割成三相：

1. 在相1，OLED上一個圖片的像素放電爲了準備下一個圖像顯示內容。

 

2. 在相2，OLED像素被驅動到目標電壓，像素驅動到至關的對地電壓，相2的週期能夠被編程爲1到16個DCLK的長度。若是OLED像素的電容值更大，須要更長的週期來給電容充電到達指望的電壓值。

 

3. 在相3，OLED驅動選擇使用電流源去驅動OLED像素，而且這時如今的電流驅動環節。

 

完成這三相以後，驅動IC將回到相1去顯示下一個圖片數據，這三步環節連續執行去刷新顯示在OLED上。

在相3，若是電流驅動脈寬設置爲50，在完成50個DCLK週期在如今的驅動相，驅動IC將回到相1繼續下一個顯示。

圖片顯示數據隨機存儲器（GDDRAM）

GDDRAM是一個位映射靜態RAM，保持位模式直到顯示在OLED上，RAM的大小是128*64位且RAM分紅8頁，從第零頁達第七頁，用來存128*64個單色點陣顯示，如圖：

 

 

 

但一個數據字節被寫在GDDRAM中，當前頁的全部的行圖像數據被填滿（例，一列（8位）使得列地址指針填滿），數據爲b0被寫到最頂的一行，當數據位D7被寫到最底下一行。如圖所示：

 

 

 

 

爲了靈活性，段複用和公共複用輸出能夠經過軟件選擇。

爲了顯示的垂直移動，一個內部寄存器存儲顯示開始行能夠被設置經過RAM中的數據位置映射到顯示屏上。（命令D3h）

SEG/COM驅動塊

這個區塊被用來將輸入電源導出到不一樣級別的內部使用的電壓和電流。

*Vcc是主電源。

*Vcomh 是取消選擇水平，內部規定。

* Iref是段電流驅動器Isegd的參考電流源。參考電流和顏色段電流的關係以下式：

 

Iseg=Contrase/256*scale factor in which

 

The Contrase(0~255)經過設置反向命令（81h），且比例因子是8.

這個數量級的Iref經過改變電阻值來改變，鏈接咋Iref到地之間，如圖所示，推薦電流範圍12.50.2uA,以實現Iseg=100uA在最大值255時。

 

 

 

從Iref引腳電壓爲Vcc-2.5V，R1的值能夠由下式肯定：

 

Ired=12.5uA，Vcc=12V

 

 

 

R1=（Voltage at Iref-Vss）/Iref

 

=（12-2.5）/12.5uA=760k歐姆

 

開機和關機條件

 

下面用圖解的方法給出了推薦的SSD1306開機和關機條件

 

上電條件：

 

1. VDD上電

 

2. 在VDD電源穩定以後，設置RES#引腳爲邏輯低至少3us而後拉高。

 

3. 在RES#處於低電平狀態以後，扥帶至少3us，而後打開VCC。

 

4. 在Vcc穩定後，發送命令AFh，打開顯示。SEG/COM在100ms（Taf）後開啓。

 

 

 

POWER OFF條件：

 

1. 發送命令AEh，關閉顯示。

 

2. 關掉Vcc。

 

3. 等待Toff,關閉VDD.（典型值toff=100ms）。

 

 

 

注意：

 

1. ESD保護電路鏈接達VDD和VCC之間，當VCC關閉時VDD比VCC要高。在圖中用點線表示。

 

2. VCC在關閉時時浮空的。

 

3. 電源引腳（VDD，VCC）在關閉狀況下必定不要拉到地。

 

 

 

命令列表

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

注意：「*」表明不須要管着一位

位組合	命令	介紹
D7D6D5D4D3D2D1D0	狀態寄存器讀	D[7]：保留 D[6]:「1」顯示關「0」顯示開 D[5]:保留 D[4]:保留 D[3]:保留 D[2]:保留 D[1]:保留 D[0]:保留

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

注意

除了命令表中給出的模式外，其餘模式都禁止做爲命令寫入芯片；以防止意外的狀況發生。

 

 

 

 

數據寫/讀

爲了從GDDRAM中讀數據，在6800 並行模式下，要將R/W#（WR#）

和D/C#位都拉高，在8080並行模式下，E（RD#）引腳拉低，D/C#引腳拉高。在串行模式下不提供數據讀。

GDDRAM在正常數據讀模式下，列地址指針在沒一次數據讀以後自加一。

一樣，在第一次數據讀前，須要讀取虛擬字節。

爲了向GDDRAM中寫數據，將R/W#位拉低且D/C#位拉高，在6800並行通信和8080並行通信模式下均可以。串行接口老是在寫模式下。

GDDRAM列地址指針在每一次寫數據以後自加一。

D/C#	R/W#	描述	地址增長（自增）
0	0	寫命令	不支持
0	1	讀狀態	不支持
1	0	寫數據	支持
1	1	讀數據	支持

命令介紹

一．基礎命令

1. 設置頁地址模式的低起始地址（00h~0Fh）

這個命令說明了在頁寫模式下的顯示數據RAM的低的8位列起始地址。列地址咋每一個數據接收後自加一。

2. 設置頁地址模式下的高起始地址（10h~1Fh）

這個命令說明了在頁地址模式下的顯示數據RAM的高的8位列起始地址。列地址在每一個數據接收後自加一。

3. 設置內存地址模式（20h）

在SSD1306中有三種不一樣的內存地址模式：頁地址模式，水平地址模式和垂直地址模式。這個命令設置內存地址模式，選擇其中的一個，「COL」意思是GDDRAM的列。

頁地址模式（A[1:0]=10x b）

頁地址模式下，在顯示RAM寫過或者度過以後，列地址指針自加一，若是列地址指針到達最後的地址，列地址指針會回到開始地址且頁地址指針不變。用戶必須設置新的頁且頁地址爲了幾首下一個頁RAM內容。

 

 

 

在頁地址模式下正常顯示數據RAM讀或寫，以下的幾步須要定義開始RAM接收指針位置

*設置頁開始地址在目標地址經過命令B0h到B7h

*設置低起始列地址指針經過命令00h~0Fh

*設置高起始列地址指針經過10h~1Fh

例如：若是頁地址被設置到B2h，低列地址是03h，高列地址是00h，這就意味着在PAGE2的SEG3開始,RAM接收指針定位如圖所示，輸入數據字節將被寫在RAM中的第3列。

 

 

水平地址模式(A[1:0]=00b)

在水平地址模式，RAM讀或寫後，列地址指針自動加一，若是列地址到達最後一列，列地址會復位到列開始地址而且頁地址指針加1。頁移動的順序和水平地址模式列地址指針如圖，當列地址指針和頁地址指針都到達最後一個地址時，指針會復位到列開始地址和頁起始地址。

 

 

 

垂直地址模式(A[1:0]=01b)

 

在垂直地址模式，顯示RAM讀或者寫後，頁地址自加一，若是頁地址指針到達最後的頁地址，頁地址指針會復位到頁起始地址而且列地址指針自加一。垂直地址模式頁地址指針的移動順序和列地址指針如圖，當列地址指針和頁地址指針都到達最後一個時，指針復位到頁起始地址和列起始地址。

 

 

 

在正常顯示數據RAM讀或寫且處於水平或垂直地址模式時，要遵循一下幾步來定義RAM訪問指針位置：

 

*經過命令21h設置列起始和結束地址到目標顯示位置

 

*經過命令22h來設置頁起始和結束地址達目標顯示位置

 

4. 設置列地址（21h）

 

這個三字節命令描述了顯示數據RAM列起始地址和結束地址。這個命令也能夠設置；列起始地址的列地址指針。這個指針定義在GDDRAM中正在讀或寫的列地址。若是經過命令20h使能了水平地址增長模式，在完成讀或寫數據RAM後，下一個列地址會自加一。無論列地址指針有沒有到最後一個列地址，他都會回到列起始地址而且行地址自加到下一行。

 

5. 設置頁地址（22h）

 

這個三字節命令描述了顯示數據RAM的頁起始地址和結束地址。也包括設置頁起始地址指針，用來定義GDDRAM中的當前在讀或寫的頁地址。若是使用命令20h設置爲垂直地址模式，在完成讀或寫一頁數據後，下一個頁地址將自加一到下一個頁地址，無論頁地址指針有沒有到最後一個頁地址，都會被複位到起始頁地址。

 

該圖展現了列地址和頁地址指針移動順序：列起始地址設置位2，結束地址設置位125，頁起始地址設置爲1，頁結束地址爲6，經過命令20h設置的水平地址增長模式，在這個例子中，GDDRAM可用列範圍從第2列到第125列，從第一頁到第六列，另外，列地址指針位置爲2，頁地址指針設置爲1.在完成讀或寫整篇的數據後，列地址自加一到達下一個讀或寫的RAM中的位置，無論列地址指針是否到達最後的125列，都會回到最開始的第2列且頁地址自加一。當到達最後的第六頁和最後的125列時，頁地址復位到1，列地址復位到2.

 

 

 

 

 

 

 

6. 設置顯示起始線

這個命令經過選擇0到63的一個值來設置顯示起始線寄存器爲了決定顯示RAm的起始地址。當該值等於0時，RAM的第0行映射到COM0，當該值等於1時，第一行映射到COM0等等。

 

7. 爲BANK0設置對比度控制（81h）

這個命令設置顯示的對比度，SSD1306將對比度分紅256份，對應值爲00h-FFh。

端輸出電流在該值增長時增長。

8. 設置段重映射（A0h/A1h）

這個命令改變顯示數據列地址和段驅動器之間的映射關係。這容許OLED模塊的靈活設計。

這個命令值影響數據輸入的順序，數據早存在在GDDRAM中的數據不會改變。

9. 總體顯示開（A4h/A5h）

A4h命令使能根據GDDRAM中的內容顯示輸出。

若是A5h命令發送後，經過發送A4命令，GDDRAM中的內容將從新出現。

換句話說，A4h命令就是使整個從新開始顯示。

A5h命令強制打開整個顯示，而無論顯示數據RAM中的數據。

10. 設置正常顯示/反顯（A6h/A7h）

這個命令設置正常顯示或反顯，在正常顯示一個RAM數據「1」表明打開一個像素點，而在反顯模式下，「0」表明點亮一個像素點。

11. 設置複用率(A8h)

該命令選擇63種複用模式，範圍是16到63.輸出塊COM0~COM63被選擇爲相應的COM信號。

12. 設置顯示開/關（AEh/AFh）

這個單字節命令被用來打開OLED顯示或關閉。

當顯示打開時，經過設置主配置命令打開被選擇的電路。

當顯示關閉時，一些電路被關閉而且segment和com輸出爲高阻態，如下命令用來設置顯示的兩種狀態。

AEh：顯示關閉

AFh：顯示打開

 

 

13. 設置頁地址模式下的頁開始地址（B0h~B7h）

這個命令設置在頁地址模式下GDDRAM的頁起始地址，範圍（PAGE0~PAGE7）。

14. 設置COM輸出掃描方向（C0h/C8h）

該命令設置COM輸出的掃描方式，在OLED模塊設計上容許更多的靈活設計。另外，一旦該命令被髮送，顯示將當即生效。例如，若是在正常顯示模式期間，該命令被髮送，圖像顯示將當即垂直翻轉。

15. 設置顯示偏移（D3h）

該命令是雙字節命令，第二個命令描述顯示開始行在COM0~COM63的映射（假設COM0是顯示起始行，而後顯示起始寄存器就等於0）。

例如，爲了把COM16移動16行到COM0，則設置第二個字節爲010000b，下面兩個表展現了設置命令C0h/C8h和D3h。

 

 

 

 

 

16. 設置顯示時鐘分頻率/振盪器頻率（D5h）

該命令包括兩個功能：

*顯示時鐘分頻率（D）(A[3:0])

從CLK中設置分頻率去產生DCLK（顯示時鐘）。範圍1到16，

復位值位1。

*振盪器頻率（A[7:4]）

若是CLS引腳被拉高時，可編程振盪器頻率 Fosc就是CLK時鐘源，這個四位數值包括16種不一樣的頻率可供選擇，默認值位1000b。

17. 設置預充電週期（D9h）

該命令被用來設置預充電週期的持續時間，以DCLK的整數倍位間隔，復位值等於2個DCLK。

18. 設置COM引腳硬件配置（DAh）

該命令設置COM信號引腳配置去配合OLED的硬件電路佈局。

下表展現了COM引腳配置在不一樣的狀況下（MUX=64）：

 

條件	COM引腳配置
1連續COM引腳配置（DAh,A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh,A[5]=0）
2連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h），使能COM左/右重映射
3連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描：從COM63到COM0（C8h） 屏蔽COM左/右映射（DAh A[5]=0）
4連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1）
5備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh，A[5]=0）
6備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1）
7備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh，A[5]=0）

 

8備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1）

 

19. 設置Vcomh取消選擇等級（D8h）

該命令用來設置調壓器輸出

20. NOP（E3h）

無操做命令

21. 狀態寄存器讀

經過在數據讀期間設置D/C#位爲低電平執行。他容許MCU讀取監視器的內部狀態。在串行通信模式下，沒有狀態讀寄存器。

 

二．圖像加速命令

1. 水平滾動設置（26h/27h）

該命令由五個連續字節設置水平滾動參數且決定滾動起始頁，結束頁，滾動速度。

在執行該命令前，必須屏蔽水平滾動（2Eh），不然，RAM內容會被破壞。

SSD1306水平滾動被設計成128列滾動，下列兩個圖表爲例。

 

 

2 連續垂直和水平滾動設置（29h/2Ah）

該命令包含六個連續字節爲了設置連續垂直滾動參數和決定滾動開始頁，結束頁，滾動速度和垂直滾動偏移量。

命令29h/2Ah以後的字節B[2:0],C[2:0]和D[2:0]是用來設置連續垂直滾動，字節E[5:0]是用來設置連續垂直滾動偏移量，全部的這些字節一塊兒設置連續對角線（垂直+水平）滾動。若是垂直滾動失調量字節E[5:0]被設置成0，這時就只有水平滾動就像命令26h/27h那樣。

在執行該命令以前必需要平布滾動（2Eh）,不然，RAM中的內容會被破壞，顯示效果如圖：

 

 

 

3. 屏蔽滾動（2Eh）

 

此命令中止滾動的進行，在發送2Eh命令以後，中止滾動，RAM中的內容須要從新寫入。

 

4. 開始滾動（2Fh）

 

該命令開始滾動且在滾動參數配置完成（命令26h/27h/29h/2Ah）以後執行，最後一次寫的滾動設置命令將覆蓋上一個滾動配置命令。

 

在滾動開始以後下面這些操做是禁止的

 

1,RAM操做（讀或寫）

 

2. 改變水平滾動設置參數

 

 

5. 設置垂直滾動區域（A3h）

 

該命令包括三個連續字節用來設置垂直滾動區域。爲了連續垂直滾動功能（命令29h/2Ah），在垂直滾動模式下行的數量應該小於或等於MUX比。

 

 

 

最大參數範圍

符號	參數	值	單位
Vdd	供電電壓	-0.3~+4	V
Vcc		0~16	V
Vseg	SEG輸出電壓	0~Vcc	V
Vcom	COM輸出電壓	0~0.9xVcc	V
Vin	輸入電壓	Vss-0.3~Vdd+0.3	V
Ta	工做溫度	-40~85	℃
Tstg	存儲溫度範圍	-65~150	℃

最大範圍是不能夠超過的值，若是超過這些值得話，可能會損壞設備。基礎工做配置應該參考電氣特性列表或者引腳描述部分。

該設備對光敏感，正常工做是應該注意避免在任何光源下暴曬該設備。該設備位非輻射防禦設備。

直流特徵

條件（除非另有說明）：

電壓參考到Vss

Vdd=1.65~3.3V，Ta=25℃

 

符號	參數	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
VCC	工做電壓	-	7	-	15	V
VDD	邏輯供電電壓	-	1.65	-	3.3	V
VOH	輸出邏輯高電平	Iout=100uA，3.3Mhz	0.9xVDD	-	-	V
VOL	輸出邏輯低電平	Iout=10uA，3.3Mhz	-	-	0.1xVDD	V
VIH	輸入邏輯高電平	-	0.8xVDD	-	-	V
VIL	輸入邏輯低電平	-	-	-	0.2xVDD	V
ICC	VCC供電電流 VDD=2.8V，VCC=12V，IREF=12.5uA 無負載，顯示開全部開	對比度=FFh	-	430	780	uA
IDD	VDD供電電流 VDD=2.8V，VCC=12V，IREF=12.5uA 無負載，顯示開，全部開，		-	50	150	uA
ISEG	段輸出電流 VDD=2.8V，VCC=12V， IREF=12.5uA，顯示開	對比度=FFh	-	100	-	uA
		對比度=AFh	-	69	-
		對比度=3Fh	-	25	-
DEV	段輸出電流一致性	DEV=（ISEG-IMID）/IMID IMID=（IMAX+IMIN）/2 ISEG[0:132]=對比度在FFh時的段電流	-3	-	+3	%
Adj.Dev	輸出電流一致性調節引腳（對比度FFh）	Adj Dev=(I[n]-I[n-1])/（I[n]+I[n+1]）	-2	-	+2	%

13交流特性

條件：

電壓參考到Vss

VDD=1.65~3.3V25℃

 

符號	參數	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
Fosc	顯示時序發射器的振盪器頻率	VDD=2.8V	333	370	407	KHz
Ffrm	64MUX模式的幀頻率	128x64GDDRAM 顯示開，內部振盪器使能	-	Fosc/（DxKx64）	-	Hz
RES#	復位低脈寬		3	-	-	us

注意：

1. Fosc之內部振盪器爲參考且命令D5h A[7:4]爲定義值。

2. D:分率（默認爲1）

K:顯示時鐘的數量（默認是54）

 

 

 

6800系列MCU並行接口時序特性

工做環境：(VDD-VSS=2.8V) 25 ℃

 

符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
Tcycle	時鐘週期時間	300	-	-	ns
Tas	地址設置時間	0	-	-	ns
Tah	地址保持時間	0	-	-	ns
Tdsw	寫數據設置時間	40	-	-	ns
Tdhw	寫數據保持時間	7	-	-	ns
Tdhr	讀數據保持時間	20	-	-	ns
Toh	輸出失能時間	-	-	70	ns
Tacc	接收時間	-	-	140	ns
PWcsl	片選低脈寬時間（讀） 片選低脈寬時間（寫）	120     60	-	-	ns
PWcsh	片選高脈寬時間（讀） 片選高脈寬時間（寫）	60     60	-	-	ns
Tr	上升時間	-	-	40	ns
Tf	降低時間	-	-	40	ns

 

 

 

8080系列MCU並行接口時序特性

工做環境：（VDD=2.8V，Ta=25℃）

符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
Tcycle	時鐘週期時間	300	-	-	ns
Tas	地址設置時間	10	-	-	ns
Tah	地址保持時間	0	-	-	ns
Tdsw	寫數據設置時間	40	-	-	ns
Tdhw	寫數據保持時間	7	-	-	ns
Tdhr	讀數據保持時間	20	-	-	ns
Toh	輸出使能時間	-	-	70	ns
Tacc	接收時間	-	-	140	ns
Tpwlr	讀低電平時間	120	-	-	ns
Tpwlw	寫低電平時間	60	-	-	ns
Tpwhr	讀高電平時間	60	-	-	ns
Tpwhw	寫高電平時間	60	-	-	ns
Tr	上升時間	-	-	40	ns
Tf	降低時間	-	-	40	ns
Tcs	片選創建時間	0	-	-	ns
Tcsh	片選讀信號保持時間	0	-	-	ns
Tcsf	片選保持時間	20	-	-	ns

 

 

　　　　　　　　　　寫週期時序　　　　　　　　　

 

 

 讀週期時序

 

 

四線串行接口時序特徵

工做環境：（VDD-VSS=2.8V，25℃）

符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
Tcycle	時鐘週期時間	250	-	-	ns
Tas	地址設置時間	150	-	-	ns
Tah	地址保持時間	150	-	-	ns
Tcss	片選創建時間	120	-	-	ns
Tcsh	片選保持時間	60	-	-	ns
Tdsw	寫數據創建時間	50	-	-	ns
Tdhw	寫數據保持時間	15	-	-	ns
Tclkl	時鐘低電平時間	100	-	-	ns
Tclkh	時鐘高電平時間	100	-	-	ns
Tr	上升時間	-	-	15	ns
Tf	降低時間	-	-	15	ns

 

 

四線串行接口特性

 

 

 

 

三線串行接口時序特徵

工做環境：（VDD-VSS=2.8V，25℃）

符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
Tcycle	時鐘週期時間（寫週期）	250	-	-	ns
Tas	地址設置時間	15	-	-	ns
Tah	地址保持時間	10	-	-	ns
Tdsw	數據設置時間	10	-	-	ns
Tdhw	數據保持時間	20	-	-	ns
Tacc	數據接收時間	15	-	170	ns
Toh	輸出保持時間	20	-	60	ns

 

 

 三線串行接口特性

 

 

 

IIC接口時序特徵

工做環境：（VDD-VSS=2.8V，Ta=25℃）

 

符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
Tcycle	時鐘週期時間	2.5	-	-	us
Thstart	開始條件保持時間	0.6	-	-	us
Thd	數據保持時間（SDAout）	0	-	-	ns
	數據保持時間（SDAin）	300	-	-	ns
Tsd	數據設置時間	100	-	-	ns
Tsstart	開始條件設置時間（一個重複的開始條件相對應）	0.6	-	-	us
Tsstop	結束條件設置時間	0.6	-	-	us
Tr	數據引腳或者時鐘引腳的上升時間	-	-	300	ns
Tf	數據引腳和時鐘引腳的降低時間	-	-	300	ns
Tidle	在一個新的傳送開始前始前的待電時間	1.3	-	-	us