存儲器

分類：

雙極型存儲器用TTL型晶體管邏輯電路做爲基本存儲電路，其特色是存取速度快，但和MOS型相比，集成度低，功耗大成本高，常做微機系統的高速緩衝存儲器（cache）

MOS型存儲器因製造工藝的不一樣，又有靜態RAM動態RAM，EPROM E²PROM和FlashMemory等，他們的速度教較雙極型慢，但集成度高，功耗低，價格便宜，是構成微型機內存的主要半導體存儲器件。

按信息存儲方式分類。分爲隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM

隨機存儲器RAM又稱讀寫存儲器，其特色是信息能夠按地址隨時讀入或寫入。斷電後信息消失，但目前有些RAM芯片內部帶有電池，稱爲非易失或不揮發性的RAM（NVRAM）靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM）兩類，靜態RAM讀寫速度快，但集成度低，容量小，主要用做Cache或小系統的內存器，動態RAM讀寫速度慢，但集成度高，容量大，動態RAM利用電容的電荷存儲效應來存儲信息。因爲電容存在漏電，存儲電容通過必定時間後會自動消失，所以必須週期性對其刷新

存儲容量：

常以字節或字爲單位，通常描述爲N*M（N表示芯片的存儲單元數，M表示每單元的存儲位數，）例如SRAM芯片6264容量位8K*8，即它有8K個存儲單元，每一個單元存儲8位二進制數據。

2 存取速度

存儲器的存取時間定義爲存儲器從定義到接受到存儲單元地址啓動工做開始，到它取出或存入數據爲止所須要的時間。一般手冊中給出這個參數的上限值，稱爲最大存取時間。半導體最大存取時間爲十幾納秒到幾百納秒

3.可靠性

可靠性是指存儲器對電磁場溫度等外界變化因素的抗干擾性。半導體存儲器因爲採用大規模集成短路結構，可靠性高，通常用平均無端障時間BTTF描述，平導體存儲器平均無端障時間爲幾千小時以上