關於IRF640PBFhtml
描述
Vishay的第三代Power MOSFE Ts爲設計人員提供了快速開關hing,堅固耐用的器件設計,低導通電阻和成本效益的最佳組合。
TO-220封裝是全部商用工業應用的首選,功耗水平約爲50 W. TO-220的低熱阻和低封裝成本有助於其在整個行業中的普遍接受。
IRF640PBF的功率MOSFET採用先進的複用技術,可實現每一個硅片面積極低的導通電阻。這種優點與HEXFET功率MOSFET衆所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合,爲設計人員提供了極其高效和可靠的器件,可用於各類應用。
TO-220封裝是全部商業工業應用的首選,功耗水平約爲50瓦。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助於其在整個行業中的普遍接受。
D2Pak是一款表面貼裝功率封裝,可以容納高達HEX-4的芯片尺寸。它提供了最高的功率和在任何eypisting表面貼裝封裝中可能的導通電阻。 D2Pak適用於高電流應用,由於它具備低內部鏈接電阻,而且在典型的表面貼裝應用中能夠消耗高達2.0W的功率。通孔版本(IRF640NL)適用於薄型應用。spa
特徵
·動態dV / dt等級
·重複雪崩額定值
·快速切換
·易於平行
·簡單的驅動器要求
·無鉛(Pb)可用設計