NAND Flash底層原理，SLC MLC TLC比較

NAND-Flash 的存儲原理 　　固態硬盤最小單元的基本架構如下： 　　我們知道計算機中所有的信息儲存最終都必須迴歸到 0與1，原則上，只要存儲單元能提供兩種或兩種以上可供辨識的狀態，便可以拿來紀錄數據。 （1）寫入數據 　　在 NAND-Flash 中，當我們需要寫入數據時，會在圖中的控制閘（Control Gate）施加高電壓，然後允許源極（Source）與汲極（Drain）間的 N信道（

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