U盤中SLC、MLC和TLC三者閃存類型的優缺點及區別

SLC = Single-Level Cell，即 1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約 MLC 3 倍以上的價格），約 10 萬次擦寫壽命。

MLC = Multi-Level Cell，即 2bit/cell，速度通常壽命通常，價格通常，約 3000 - 10000 次擦寫壽命。

TLC = Trinary-Level Cell，即 3bit/cell，也有 Flash 廠家叫 8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約 500 次擦寫壽命，目前尚未廠家能作到 1000 次。

SLC、MLC、TLC X3(3-bit-per-cell) 架構的 TLC 芯片技術是 MLC 和 TLC 技術的延伸，最先期 NAND Flash 技術架構是 SLC(Single-Level Cell)，原理是在 1 個存儲器儲存單元(cell)中存放 1 位元(bit)的資料，直到 MLC(Multi-Level Cell) 技術接棒後，架構演進爲 1 個存儲器儲存單元存放 2 位元。

2009 年 TLC 架構正式問世，表明 1 個存儲器儲存單元可存放 3 位元，成本進一步大幅下降。如同上一波 SLC 技術轉 MLC 技術趨勢般，此次也是由 NAND Flash 大廠東芝 (Toshiba) 引起戰火，以後三星電子(Samsung Electronics) 也趕忙加入戰局，使得整個 TLC 技術大量被量產且應用在終端產品上。TLC 芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但由於效能也大打折扣，所以僅能用在低階的 NAND Flash 相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡 microSD 或隨身碟等。像是內嵌世紀液體應用、智能型手機(Smartphone)、固態硬碟(SSD) 等技術門檻高，對於 NAND Flash 效能講求高速且不出錯等應用產品，則必定要使用 SLC 或 MLC 芯片。

2010 年 NAND Flash 市場的主要成長驅動力是來自於智能型手機和平板計算機，都必需要使用 SLC 或 MLC 芯片，所以這兩種芯片都處於缺貨狀態，而 TLC 芯片倒是持續 供過於求，且將整個產業的平均價格往下拉，使得市調機構 iSuppli 在統計 2010 年第 2 季全球 NAND Flash 產值時，出現罕見的市場規模縮小狀況發生，從 2010 年第 1 季 43 億美圓降低至 41 億美圓，減小 6.5%。